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单晶炉设计晶间腐蚀主要产生于奥氏体不锈钢，含 的停留时间超过1min，即可能析出碳化铬，使晶间附近的不锈钢在受力时即会沿晶界断裂，几乎完全丧失强度。防止焊接后产生晶间腐蚀的措施主要有：
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这种软关方式可以显着地减小关损耗，以及关过程中激起的振荡，使关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。率场效应管（MOSFET）是应用较多的关器件，它有较高的关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这是容性通损耗。单晶炉提拉速度控制系统的设计与分析1 引 言半导体材料是半导体工业的基础材料用提拉的法制成的。其中用量大和用途广泛的是半导体硅。95%以上的半导体器件是用硅材料的，99%以上的集成电路是硅集成电路在单晶硅生产过程中图1示出了单晶炉提拉速度控制系统在单晶硅生产中的作用。提拉杆的运动是靠驱动电机通过减速器在实际单晶炉中。要求提拉速度V能在(0.2～10.0)mm/h内无级调节，它相对于给定信号的线性精度±2%。设计了一种实用的单晶炉提拉速度控制系统，并在实际生产中获得成功应用。2 设计的关键图1示出了单晶炉提拉的工艺过程。提拉控制系统的驱动电机转速n经减速器。生长过程均速提拉的法制成的。
